TEORIYa VNUTRIZONNYKh OPTIChESKIKh PEREKhODOV V NANOKRISTALLAKh KREMNIYa S ATOMOM VISMUTA

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Обсуждается модель эффективной световой эмиссии видимого диапазона в слаболегированных висмутом нанокристаллах кремния (один донор на нанокристалл), осуществляемая за счет внутризонных электронных переходов триплет–синглет. Показано, что для нанокристаллов размерами 2–3 нм имеет место сильное расщепление уровней в нижней части энергетического спектра зоны проводимости за счет короткодействующего потенциала иона Bi. Оптически активными оказываются переходы из двух нижних триплетных состояний в основное (синглетное) состояние. При этом скорость переходов может превышать 107 с−1.

Sobre autores

G. Maksimova

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Нижний Новгород, Россия

C. Fomichev

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Нижний Новгород, Россия

V. Burdov

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Email: burdov@phys.unn.ru
Нижний Новгород, Россия

Bibliografia

  1. S. G. Pavlov, H. W. H¨ubers, J. N. Hovenier, T. O. Klaassen, D. A. Carder, P. J. Phillips, B. Redlich, H. Riemann, R. Kh. Zhukavin, and V. N. Shastin, Phys. Rev. Lett. 96, 037404 (2006).
  2. S. G. Pavlov, H. W. H¨ubers, U. B¨ottger, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, J. N. Hovenier, B. Redlich, N. V. Abrosimov, and H. Riemann, Appl. Phys. Lett. 92, 091111 (2008).
  3. S. G. Pavlov, U. B¨ottger, J. N. Hovenier, N. V. Abrosimov, H. Riemann, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, B. Redlich, A. F. G. van der Meer, and H. W. H¨ubers, Appl. Phys. Lett. 94, 171112 (2009).
  4. S. G. Pavlov, U. B¨ottger, R. Eichholz, N. V. Abrosimov, H. Riemann, V. N. Shastin, B. Redlich, and H. W. H¨ubers, Appl. Phys. Lett. 95, 201110 (2009).
  5. V. A. Belyakov, A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, and V. A. Burdov, J. Phys.: Condens. Matter 21, 045803 (2009).
  6. T. C.-J. Yang, K. Nomoto, B. Puthen-Veettil, Z. Lin, L. Wu, T. Zhang, X. Jia, G. Conibeer, and I. PerezWurfl, Mater. Res. Express 4, 075004 (2017).
  7. K. Nomoto, T. C. -J. Yang, A. V. Ceguerra, T. Zhang, Z. Lin, A. Breen, L. Wu, B. Puthen-Veettil, X. Jia, G. Conibeer, I. Perez-Wurfl, and S. P. Ringer, J. Appl. Phys. 122, 025102 (2017).
  8. E. Klimesova, K. Kusova, J. Vacik, V. Holy, and I. Pelant, J. Appl. Phys. 112, 064322 (2012).
  9. V. A. Belyakov and V. A. Burdov, Phys. Rev. B 79, 035302 (2009).
  10. N. V. Derbenyova and V. A. Burdov, J. Appl. Phys. 123, 161598 (2018).
  11. N. V. Derbenyova, A. A. Konakov, and V. A. Burdov, J. Lumin. 233, 117904 (2021).
  12. V. A. Burdov and M. I. Vasilevskiy, Appl. Sci. 11, 497 (2021).
  13. F. Sangghaleh, I. Sychugov, Z. Yang, J. G. C. Veinot, and J. Linnros, ACS Nano 9, 7097 (2015).
  14. C. Delerue, M. Lannoo, G. Allan, E. Martin, I. Mihalcescu, J. C. Vial, R. Romestain, F. M¨uller, and A. Bsiesy, Phys. Rev. Lett. 75, 2228 (1995).
  15. C. Sevik and C. Bulutay, Phys. Rev. B 77, 125414 (2008).
  16. G. Allan and C. Delerue, Phys. Rev. B 66, 233303 (2002).
  17. W. Kohn and J. M. Luttinger, Phys. Rev. 97, 1721 (1955).
  18. W. Kohn and J. M. Luttinger, Phys. Rev. 98, 915 (1955).
  19. Z. Zhou, M. L. Steigerwald, R. A. Friesner, L. Brus, andM. S. Hybertsen, Phys. Rev. B 71, 245308 (2005).
  20. N. V. Derbenyova and V. A. Burdov, J. Phys. Chem. C 122, 850 (2018).
  21. S. Ossicini, I. Marri, M. Amato, M. Palummo, E. Canadell, and R. Rurali, Faraday Discuss. 222, 217 (2020).
  22. V. A. Belyakov and V. A. Burdov, Phys. Lett. A 367, 128 (2007).
  23. S. T. Pantelides and C. T. Sah, Phys. Rev. B 10, 621 (1974).
  24. В. А. Бурдов,ЖЭТФ 121, 480 (2002)
  25. V. A. Burdov, JETP 94, 411 (2002).
  26. А. А. Копылов, ФТП 16, 2141 (1982)
  27. A. Kopylov, Sov. Phys. Semicond. 16, 1380 (1982).
  28. J. L. Ivey and R. L. Mieher, Phys. Rev. B 11, 822 (1975).
  29. V. A. Belyakov and V. A. Burdov, Phys. Rev. B 76, 045335 (2007).
  30. V. A. Belyakov, V. A. Burdov, R. Lockwood, and A. Meldrum, Adv. Opt. Tech. 2008, 279502 (2008).
  31. R. A. Faulkner, Phys. Rev. 184, 713 (1969).
  32. A. K. Ramdas and S. Rodriguez, Rep. Prog. Phys. 44, 1297 (1981).
  33. A. J. Mayur, M. Dean Sciacca, A. K. Ramdas, and S. Rodriguez, Phys. Rev. B 48, 10893 (1993).
  34. U. Bockelmann and G. Bastard, Phys. Rev. B 42, 8947 (1990).
  35. T. Inoshita and H. Sakaki, Phys. Rev. B 46, 7260 (1992).
  36. R. Heitz, H. Born, F. Guffarth, O. Stier, A. Schliwa, A. Hoffmann, and D. Bimberg, Phys. Rev. B 64, 241305 (2001).
  37. J. Urayama, N. B. Norris, J. Singh, and P. Bhattacharya, Phys. Rev. Lett. 86, 4930 (2001).
  38. P. Guyot-Sionnest, B. Wehrenberg, and D. Yu, J. Chem. Phys. 123, 074709 (2005).
  39. A. J. Nozik, Annu. Rev. Phys. Chem. 52, 193 (2001).
  40. С. А. Фомичев, В. А. Бурдов, ФТП 57, 566 (2023)
  41. S. A. Fomichev, V. A. Burdov, Semiconductors 57, 551 (2023).
  42. A. Thranhardt, C. Ell, G. Khitrova, and H. M. Gibbs, Phys. Rev. B 65, 035327 (2002).

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2025