Mikroèlektronika
ISSN 0544-1269 (Print)
Мәзір
Мұрағат
Бастапқы
Журнал туралы
Редакция тобы
Редакция саясаты
Авторларға арналған ережелер
Журнал туралы
Шығарылымдар
Іздеу
Ағымдағы шығарылым
Ретракцияланған мақалалар
Мұрағат
Байланыс
Жазылу
Барлық журналдар
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Категориялар
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Förster effect
bipolar transistor
charge qubit
dissociation
etching
fluorocarbon gases
gas temperature
ionization
kinetics
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
quantum dot
radiation intensity
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
specific power
Ағымдағы шығарылым
Том 53, № 6 (2024)
×
Пайдаланушы
Пайдаланушының аты
Құпиясөз
Мені есте сақтау
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба?
Тіркеу
Хабарламалар
Қарау
Тіркелу
Іздеу
Іздеу
Іздеу аумағы
Барлығы
Авторлар
Атауы
Түйіндеме
Терминдер
Толық мәтін
Парақтау
шығарылымдар
авторлар
атаулары бойынша
бөлімдер бойынша
басқа журналдар
Категориялар
Ақпарат
Оқырмандар үшін
Авторларға
Кітапханалар үшін
Жазылу
Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер
Förster effect
bipolar transistor
charge qubit
dissociation
etching
fluorocarbon gases
gas temperature
ionization
kinetics
mechanism
memristor
modeling
molecular beam epitaxy
plasma
polymerization
quantum dot
radiation intensity
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
specific power
Ағымдағы шығарылым
Том 53, № 6 (2024)
Бастапқы
>
Іздеу
>
Автор туралы ақпарат
Автор туралы ақпарат
Руденко, К. В.
Шығарылым
Бөлім
Атауы
Файл
Том 53, № 4 (2024)
MEMRISTORS
Evolution of the Current-Voltage Characteristic of a Bipolar Memristor
Том 53, № 1 (2024)
ТЕХНОЛОГИИ
Parameters and Composition of Plasma in a Mixture of CF
4
+ H
2
+ Ar: Effect of the CF
4
/H
2
Ratio
Том 52, № 4 (2023)
ТЕХНОЛОГИИ
Mechanisms of the Redistribution of Carbon Contamination in Films Formed by Atomic Layer Deposition
Том 53, № 6 (2024)
ДИАГНОСТИКА
Gas Phase Composition and Fluorine Atom Kinetics in SF
6
Plasma
TOP