Автор туралы ақпарат

Kwon, K.-H.

Шығарылым	Бөлім	Атауы	Файл
Том 52, № 4 (2023)	ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ	Concentration of Fluorine Atoms and Kinetics of Reactive-Ion Etching of Silicon in CF4 + O2, CHF3 + O2, and C4F8 + O2 Mixtures
Том 52, № 2 (2023)	ТЕХНОЛОГИЯ	Plasma Parameters and Kinetics of Reactive Ion Etching of SiO2 and Si3N4 in an HBr/Cl2/Ar Mixture
Том 52, № 1 (2023)	ТЕХНОЛОГИЯ	Параметры газовой фазы и кинетика реактивно-ионного травления SiO₂ в плазме CF₄/C₄F₈/Ar/He