SKOROST' PEREDAChI ENERGII OT ELEMENTARNYKh VOZBUZhDENIY FONONAM V SIL'NO LEGIROVANNOM BOROM SVERKhPROVODYaShchEM ALMAZE

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

Найдена скорость передачи энергии от элементарных возбуждений фононам (т. е. кристаллической решетке) в сильно легированном бором сверхпроводящем алмазе. Вычисления проведены с помощью методов квантовой теории поля при ненулевых температурах с использованием температурных функций Грина и техники Мацубары. В результате показано, что эта скорость ограничивает допустимую амплитуду переменных электрических полей в сверхпроводящем алмазе величинами порядка 10 В/см, при превышении которых произойдет разогрев элементарных возбуждений до температур выше критической, т. е. разрушение сверхпроводящего состояния.

作者简介

V. Kukushkin

Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А. В. Гапонова-Грехова Российской академии наук; Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Email: vakuk@ipfran.ru
Нижний Новгород, Россия; Нижний Новгород, Россия

Yu. Kukushkin

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Нижний Новгород, Россия

参考

  1. M. Imada, A. Fujimori, and Y. Tokura, Rev. Mod. Phys. 70, 1039 (1998).
  2. P. P. Edwards and M. J. Sienko, Phys. Rev. B 17, 2575 (1978).
  3. D. Pines, Phys. Rev. 109, 280 (1958).
  4. M. L. Cohen, Phys. Rev. 134, A511 (1964).
  5. M. L. Cohen, Rev. Mod. Phys. 37, 240 (1964).
  6. M. L. Cohen, in Superconductivity, ed. by R. D. Parks, Marcel Dekker, New York (1964), Vol. 1, p. 615.
  7. R. A. Hein, J. W. Gibson, R. Mazelsky et al., Phys. Rev. Lett. 12, 320 (1964).
  8. R. A. Hein, J. W. Gibson, R. S. Allgaier et al., in Low Temperature Physics, ed. by J. G. Daunt, D. O. Edwards, F. J. Milford et al., Plenum Press, New York (1965), LT9, p. 604.
  9. J. F. Schooley, W. R. Hosler, and M. L. Cohen, Phys. Rev. Lett. 12, 474 (1964).
  10. А. А. Абрикосов, Основы теории металлов, Наука, Москва (1987).
  11. E. A. Ekimov, V. A. Sidorov, E. D. Bauer et al., Nature 428, 542 (2004).
  12. B. Sac´ep´e, C. Chapelier, C. Marcenat et al., Phys. Status Solidi A 203, 3315 (2006).
  13. A. M. Stoneham, in Physics and Applications of CVD Diamond, ed. by S. Koizumi, C. Nebel, and M. Nesladek, WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim (2008), p. 1.
  14. E. Bustarret, in Physics and Applications of CVD Diamond, ed. by S. Koizumi, C. Nebel, and M. Nesladek, WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim (2008), p. 329.
  15. O. Madelung, Semiconductors: Data Handbook, Springer, Berlin (2004).
  16. S. Sakane, T. Ishibe, Y. Yukawa et al., Diam. Rel. Mater. 140 (A), 110410 (2023).
  17. Г. М. Элиашберг, ЖЭТФ 38, 966 (1960).
  18. Е. М. Лифшиц, Л. П. Питаевский, Статистическая физика. Часть 2, Физматлит, Москва (2002).
  19. А. Б. Мигдал, ЖЭТФ 34, 1438 (1958).
  20. V.V. Brazhkin, E.A. Ekimov, A.G. Lyapin et al., Phys. Rev. B 74, 140502(R) (2006).
  21. J. Pernot, P. N. Volpe, F. Omn`es et al., Phys. Rev. B 81, 205203 (2010).
  22. G. Chicot, A. Fiori, P. N. Volpe et al., J. Appl. Phys. 116, 083702 (2014).
  23. A. Kardakova, A. Shishkin, A. Semenov et al., Phys. Rev. B 93, 064506 (2016).

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2025