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Volume 54, Nº 2 (2025)
Precision etching of aluminum conductors in the technology of switching devices of microsystems technology
Didyk P., Zhukov A.
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Volume 54, Nº 3 (2025)
Nanostructured ruthenium etching in three-component Cl2 /O2/Ar plasma
Amirov I., Izyumov M., Lopaev D., Rakhimova T., Kropotkin A., Voloshin D., Palov A.
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(Rus)
Volume 52, Nº 4 (2023)
Concentration of Fluorine Atoms and Kinetics of Reactive-Ion Etching of Silicon in CF4 + O2, CHF3 + O2, and C4F8 + O2 Mixtures
Efremov A., Bobylev A., Kwon K.
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(Rus)
Volume 52, Nº 5 (2023)
The Influence of Small F2, H2, and HF Additives on the Concentration of Active Particles in Tetrafluoromethane Plasma
Efremov A., Smirnov S., Betelin V.
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(Rus)
Volume 53, Nº 4 (2024)
Plasmochemical and Reactive Ion Etching of Gallium Arsenide in Difluorodichloromethane with Helium
Murin D., Chesnokov I., Gogulev I., Anokhin A., Moloskin A.
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(Rus)
Volume 53, Nº 6 (2024)
Plasma Parameters and Si/SiO2 Etching Kinetics in Mixtures of Fluorocarbon Gases with Argon and Helium
Efremov A., Betelin V., Kwon K.
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(Rus)
Volume 52, Nº 1 (2023)
Параметры газовой фазы и кинетика реактивно-ионного травления SiO2 в плазме CF4/C4F8/Ar/He
Ефремов А., Kwon K.
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(Rus)
Volume 52, Nº 1 (2023)
Controlling Silicon Etching Parameters in RF CHF3 Plasma by Optical Emission Spectroscopy
Murin D., Chesnokov I., Pivovarenok S., Efremov A.
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(Rus)
Volume 52, Nº 2 (2023)
Plasma Parameters and Kinetics of Reactive Ion Etching of SiO2 and Si3N4 in an HBr/Cl2/Ar Mixture
Efremov A., Betelin V., Kwon K.
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(Rus)
1 - 9 de 9 resultados
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