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Precision etching of aluminum conductors in the technology of switching devices of microsystems technology
Didyk P., Zhukov A.
Nanostructured ruthenium etching in three-component Cl2 /O2/Ar plasma
Amirov I., Izyumov M., Lopaev D., Rakhimova T., Kropotkin A., Voloshin D., Palov A.
Concentration of Fluorine Atoms and Kinetics of Reactive-Ion Etching of Silicon in CF4 + O2, CHF3 + O2, and C4F8 + O2 Mixtures
Efremov A., Bobylev A., Kwon K.
The Influence of Small F2, H2, and HF Additives on the Concentration of Active Particles in Tetrafluoromethane Plasma
Efremov A., Smirnov S., Betelin V.
Plasmochemical and Reactive Ion Etching of Gallium Arsenide in Difluorodichloromethane with Helium
Murin D., Chesnokov I., Gogulev I., Anokhin A., Moloskin A.
Plasma Parameters and Si/SiO2 Etching Kinetics in Mixtures of Fluorocarbon Gases with Argon and Helium
Efremov A., Betelin V., Kwon K.
Параметры газовой фазы и кинетика реактивно-ионного травления SiO2 в плазме CF4/C4F8/Ar/He
Ефремов А., Kwon K.
Controlling Silicon Etching Parameters in RF CHF3 Plasma by Optical Emission Spectroscopy
Murin D., Chesnokov I., Pivovarenok S., Efremov A.
Plasma Parameters and Kinetics of Reactive Ion Etching of SiO2 and Si3N4 in an HBr/Cl2/Ar Mixture
Efremov A., Betelin V., Kwon K.
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