Electrophysical parameters of p-i-n photodiodes, irradiated with 60Co γ-quanta

N. S. Kovalchuk; Ковальчук Н. С.; S. B. Lastovsky; Ластовский С. Б.; V. B. Odzhaev; Оджаев В. Б.; A. N. Petlitsky; Петлицкий А. Н.; V. S. Prosolovich; Просолович В. С.; D. V. Shestovsky; Шестовский Д. В.; V. Yu. Yavid; Явид В. Ю.; Yu. N. Yankovsky; Янковский Ю. Н.

doi:10.31857/S0544126923600264

Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов, облученных γ-квантами ⁶⁰Со

Авторы: Ковальчук Н.С.¹, Ластовский С.Б.², Оджаев В.Б.³, Петлицкий А.Н.¹, Просолович В.С.³, Шестовский Д.В.¹, Явид В.Ю.³, Янковский Ю.Н.³
Учреждения:
1. Открытое акционерное общество “ИНТЕГРАЛ” – управляющая компания холдинга “ИНТЕГРАЛ”
2. Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
3. Белорусский государственный университет
Выпуск: Том 52, № 6 (2023)
Страницы: 481-488
Раздел: ПРИБОРЫ
URL: https://j-morphology.com/0544-1269/article/view/655251
DOI: https://doi.org/10.31857/S0544126923600264
EDN: https://elibrary.ru/CKNJSW
ID: 655251

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Представлены результаты исследований изменения электрофизических параметров p-i-n-фотодиодов изготовленных на пластинах монокристаллического кремния p-типа проводимости ориентации (100) с ρ = 1000 Ом см, при облучении γ-квантами от источника ⁶⁰Со. Установлено, что в результате облучения p-i-n-фотодиодов дозами до 2 × 10¹⁵ квант/см² происходит увеличение обратного темнового тока более, чем на порядок. Однако форма кривой зависимости тока от приложенного обратного напряжения облученных p-i-n-фотодиодов качественно не изменяется, как и для исходных приборов имеют место три области с различной зависимостью тока от напряжения: сублинейной, суперлинейной и линейной, обусловленные различными механизмами генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-n-перехода. Основной причиной возрастания обратного тока p-i-n-фотодиодов в результате облучения γ-квантами является образование генерационно-рекомбинационных центров радиационного происхождения вследствие конденсация первичных радиационных дефектов (вакансий и/или собственных междоузельных атомов) на технологических остаточных дефектах структуры, сформировавшихся как во время выращивания монокристаллов кремния, так и при последующих высокотемпературных обработках в процессе формирования приборов.

Ключевые слова

p-i-n-фотодиод, барьерная емкость, темновой ток, γ-кванты ⁶⁰Со, радиационные дефекты

Список литературы

Pereira do Carmo J., Moebius B., Pfennigbauer M., Bond R., Bakalski I., Foster M., Bellis S., Humphries M., Fisackerly R., Houdou B. Imaging lidars for space applications // Novel Optical Systems Design and Optimization XI.2008. V. 7061. P. 70610J-01‒70610J-12.
De Carlo P.M., Roberto L., Marano G., L’Abbate M., Oricchio D., Venditti P. // Intersatellite link for earth observation satellites constellation // SPACEOPS, Roma, Italy. 2006. P. 19–23.
Оджаев В.Б., Петлицкий А.Н., Просолович В.С., Филипеня В.А., Шестовский Д.В., Явид В.Ю., Янковский Ю.Н., Мавланов Г.Х., Исмайлов Б.К., Кенжаев З.Т. Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов // Сборник научных трудов II международной научной конференции “Наноструктурные полупроводниковые материалы в фотоэнергетике”, Ташкент, Узбекистан, 19–20 ноября 2021. Ташкент: ТашГТУ, 2021. С. 24–29.
Sze S.M., Lee M.K. Semiconductor Devices: Physics and Technology. Pub. 3. John Wiley & Sons Singapore Pte. Limited, 2012. 582 p.
Вопросы радиационной технологии полупроводников / Под ред. Смирнова Л.С. Новосибирск: Изд-во “Наука”, Сибирское отделение, 1980. 296 с.
Макаренко Л.Ф., Ластовский С.Б., Гаубас Э., Павлов Е., Молл М., Якушевич А.С., Мурин Л.И. Инжекционный отжиг комплекса собственное димеждоузлие–кислород в кремнии p-типа // Весці Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі. Серыя фізіка-матэматычных навук. 2018. Т. 54. № 2. С. 220–228.