Исследование фотоприемников с барьерами Шоттки на основе контакта IRSI–SI

Существенное увеличение коэффициента заполнения Шоттки-матриц достигается считыванием заряда, накопленного в Шоттки-диоде, не с помощью ПЗС (приборы с зарядовой связью) – регистров, а путем его инжекции в сигнальную шину, аналогично ПЗИ (приборы с зарядовой инжекцией) – структурам на узкозонных полупроводниках. В этом случае многоэлементная матрица содержит горизонтальные шины для опроса элементов выбранной строки, вертикальные сигнальные шины, МОП (метал–оксид–полупроводник) – ключ для подключения опрашиваемого столбца и матрицы фоточувствительных элементов, каждый из который состоит из фоточувствительного Шоттки диода и МОП-ключа.