CHANGES IN THE EPITHELIAL-STROMAL RATIO IN THE HARDERIAN GLANDS AFTER INTENSE LIGHT EXPOSURE
- Authors: Mustafina L.R.1, Zhuravleva A.D.1, Logvinov S.V.1
-
Affiliations:
- Issue: Vol 157, No 2-3 (2020)
- Pages: 149-150
- Section: Articles
- URL: https://j-morphology.com/1026-3543/article/view/103646
- DOI: https://doi.org/10.17816/morph.103646
- ID: 103646
Cite item
Full Text
Abstract
Full Text
Повреждения глаз неионизирующими электромагнитными излучениями оптического диапазона могут возникать как в естественных условиях (солнечный свет), так и под действием искусственных излучателей (газосварочная аппаратура, офтальмоскопические приборы, лазеры, волоконная оптика). Целью исследования явилось изучение процессов повреждения и репарации в слезных железах Гардера (ЖГ) после воздействия высокоинтенсивного света. Исследовали ЖГ у 3-месячных самцов беспородных белых крыс (n=40), которых подвергали световому облучению (3500 Лк) в течение 1, 7, 14, 30 сут, контролем служили интактные животные (n=10). Оценивали эпителиостромальный коэффициент (ЭСК) удельных объемов стромы и эпителия. В ранние сроки воздействия (1-7 сут) отмечалось усиление секреции ЖГ с расширением выводных протоков, что к 14-30м суткам сменялось нарастанием дистрофических и некротических процессов в железистых клетках, приводящим к снижению секреции. В строме с увеличением срока воздействия нарастал отек, в сосудах наблюдались выраженные застойные явления. При количественном исследовании показатель ЭСК в ЖГ достоверно снижался уже с 1-х суток воздействия (с 1,77±0,10 в контроле до 0,73±0,04 после воздействия; р<0,05) и оставался стабильно низким в последующие сроки, составляя 0,77±0,03 через 7 сут, 0,81±0,04 - через 14 сут и 0,77±0,04 - через 30 сут. Таким образом, световое воздействие интенсивностью 3500 Лк вызывало выраженное уменьшение ЭСК в ЖГ, связанное одновременно с нарастающим отеком стромы и усилением голокриновой секреции ацинусов с разрушением железистых клеток.×
About the authors
L. R. Mustafina
Tomsk, Russia
A. D. Zhuravleva
Tomsk, Russia
S. V. Logvinov
Tomsk, Russia