Methodology of Production of Photo-Sensitive Elements on Ptsi Basis

E. A. Kerimov; Керимов Э. А.

doi:10.31857/S0544126924040053

Методика изготовления фоточувствительных элементов на основе PtSi

Авторы: Керимов Э.А.¹
Учреждения:
1. Азербайджанский государственный технический университет
Выпуск: Том 53, № 4 (2024)
Страницы: 331-334
Раздел: ТЕХНОЛОГИИ
URL: https://j-morphology.com/0544-1269/article/view/655217
DOI: https://doi.org/10.31857/S0544126924040053
ID: 655217

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Аннотация
Полный текст
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Диоды с барьером Шоттки на основе контакта PtSi-Si могут использоваться в качестве детекторов для регистрации излучения в ИК — области спектра. Однако квантовая эффективность у таких приемников очень мала по сравнению с фотоприемниками на основе узкозонных полупроводников и на p-n переходах. Для увеличения квантовой эффективности Шоттки приемники изготавливаются, как будет показано ниже, в виде так называемой “оптической полости”, причем толщина PtSi не должна превышать 100 А⁰. С этой целью нами разработан технологический режим многослойной металлизации для получения тонких контактов PtSi-Si.

Ключевые слова

Шоттки — приемники, технологический режим, многослойная металлизации, абсолютная шкала

Полный текст

Об авторах

Э. А. Керимов

Азербайджанский государственный технический университет

Автор, ответственный за переписку.
Email: E_Kerimov.fizik@mail.ru
Азербайджан, Баку

Список литературы

Пул Ч., Оуэнс Ф. Нанотехнологии. — М.: Техносфера, 2010. 336 с.
Шапочкин М.Б. Статистическая физика / М.Б. Шапочкин. М.: Издат. дом Моск. Физ. о-ва, 2004. 85 с.
Гольдаде В.А., Пинчук Л.С. Физика конденсированного состояния. Белорусская наука, 2009. 648 с.
Парфенов В.В. Квантово-размерные структуры в электронике: оптоэлектроника. Казань: КГУ, 2007. 16 с.
Фролов В.Д. Размерный эффект в работе выхода электронов / В.Д. Фролов, С.М. Пименов, В.И. Конов, Е.Н. Лубнин // Российские нанотехнологии. 2008. Т. 3. С. 102.
Кудрик Я.Я., Шинкаренко В.В., Слепокуров В.С., Бигун Р.И., Кудрик Р.Я. Методы определения высоты барьера Шоттки из вольт-амперных характеристик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014. вып. 49. С. 21–28.
Шик А.Я., Бакуева Л.Г., Мусихин С.Ф., Рыков С.А. Физика низкоразмерных систем. — СПб.: Наука, 2001. 160 с.